Опубликовано

Электроника и наноэлектроника

ВВЕДЕНИЕ ……………………………………………….. 7 ГЛАВА 1 ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ НАНООБЪЕКТОВ ………. 9 1.1 Общие сведения ……………………………………… 9 1.2 Классификация нанообъектов ………………………….. 11 1.3 Наночастицы и наносистемы …………………………… 15 1.4 Основные термины индустрии наносистем ………………… 16 ГЛАВА 2 ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ ………………….. 19 2.1 Общие сведения …………………………………….. 19 2.2 Краткая история нанотехнологий ………………………. 20 ГЛАВА 3 ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ ……….. 22 3.1 Общие сведения …………………………………….. 22 3.2 Закон Мура ………………………………………… 22 3.3 Основные тенденции развития микро- и наноэлектронных систем ……………………………………………. 24 3.4 Перспективы развития модульных систем ………………… 25 3.4.1 История развития …………………………….. 25 3.4.2 Виды модульных систем ………………………… 29 3.4.3 Автоматизация проектирования и производства СБИС и модульных систем …………………………… 31 3.4.4 Нанотехнологий будущих электронных систем ………. 37 3.4.5 Перспективы развития навигационных систем ………. 40 3.5 Перспективы развития цифрового телевидения ……………. 46 3.6 Перспективы развития дисплеев и осветительной техники ….. 51 3.7 Состояние и проблемы внедрения электронных технологий ….. 55 3.8 Формирование современной инфраструктуры проектирования СБИС «система на кристалле» …………………………. 59 3.9 Создание технико-внедренческой зоны наукоемкого производства ………………………………………. 65 3.10 Форсайт в области нанотехнологий …………………….. 68 3.11 Дорожные карты и их применение ………………………. 70 3.11.1 Прогноз инновационного развития в Японии ……….. 72 3.11.2 «Глобальная технологическая революция» (Корпорация RAND, США) ……………………….. 73 3.11.3 Метод дорожных карт и его применение в практике форсайт-исследований …………………………. 74 3.11.4 Разработка технологических дорожных карт ……….. 75 3.11.5 Международная технологическая карта ITRS ……….. 78 3.11.6 Технологическая дорожная карта для производственных наносистем. Институт Форсайта в области нанотехнологий, США …………………… 78 3.11.7 Дорожные карты развития наноиндустрии в России ….. 80 3.11.8 Примеры технологических дорожных карт ………….. 82 3.12 Итоги работы радиоэлектронной промышленности в 2008 году и основные задачи на 2009 год ……………………….. 83 3.12.1 Общие сведения ………………………………. 83 3.12.2 Основные показатели развития РЭП ………………. 83 3.12.3 Научно-техническая политика РЭП ……………….. 84 3.12.4 Инвестиционная политика РЭП …………………… 87 3.12.5 Внешнеэкономическая деятельность ………………. 88 3.12.6 Политика РЭП на отечественных рынках …………… 90 3.12.7 Меры по снижению негативных последствий для предприятий РЭП экономического кризиса …………. 90 3.12.8 Кадровая политика ……………………………. 92 3.12.9 Основные проблемы и задачи РЭП ………………… 93 ГЛАВА 4 КОНЦЕПЦИЯ И ПРОБЛЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАЦИОНАЛЬНОЙ НАНОТЕХНОЛОГ ИЧЕСКОЙ СЕТИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ …….. 95 4 1. Состояние и перспективы развития наноиндустрии в Российской Федерации ……………………………….. 95 4.2 Цель реализации Концепции развития …………………… 96 4.3 Состав и основные направления деятельности национальной и нанотехнологической сети(ННС) ……………………… 97 4.4 Задачи, решаемые в рамках Концепции ………………….. 99 4.4.1 Исследовательско-технологическая основа (ИТО) ….. 100 4.4.2 Научно-образовательная и кадровая основа ………. 100 4.4.3 Информационно-коммуникационная основа …………. 101 4.4.4 Организационная основа ………………………. 102 4.4.5 Правовая основа …………………………….. 103 4.5 Программно-целевое развитие наноиндустрии в России ……. 103 4.6 Корпорация «РОСНАНОТЕХ» ……………………………. 105 ГЛАВА 5 ВОЕННО-ПОЛИТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ СОЗДАНИЯ НАНОПРОДУКЦИИ И СИСТЕМ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ………………… 109 5.1 Общие сведения ……………………………………. 109 5.2 Наноугрозы и риски ………………………………… 110 5.3 Роль наноиндустрии в обеспечении национальной безопасности ……………………………………… 111 5.4 Реализованные проекты специального назначения с использованием нанотехнологий ………………………. 112 5.5 Перспективные проекты специального назначения с использованием нанотехнологий ………………………. 114 5.5.1. Проект «Умная пыль» …………………………. 115 ГЛАВА 6 СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ ………………………………… 118 6.1 Общие сведения ……………………………………. 118 6.2 Полупроводниковые приборы ………………………….. 118 6.3 Персональные компьютеры ……………………………. 119 6.4 Электронная промышленность в средствах связи …………. 120 6.5 Современное состояние электронной промышленности ……… 120 6.5.1 Мировые лидеры по производству электронной продукции ………………………………….. 121 6.5.2 Состояние электронной промышленности в России ….. 122 6.5.3 Признаки возрождения электронной промышленности в России …………………………………… 125 6.5.4 Перспективы развития электронной промышленности в России …………………………………… 127 ГЛАВА 7 ВИДЫ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПРОИЗВОДСТВА НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ ………………………… 129 7.1. Общие сведения ……………………………………. 129 7.2 Основы кремниевой технологии ……………………….. 130 7.2.1 Кристаллическое строение и зонная структура полупроводников …………………………….. 130 7.2.2 Понятие о групповом методе изготовления электронных приборов ………………………… 133 7.2.3 Планарная технология ………………………… 134 7.2.4 Пленочная и гибридная технология ……………… 134 7.2.5 Полупроводниковая технология …………………. 136 7.2.6 Переход к кремниевой нанотехнологий …………… 139 7.3 Общие сведения об углеродной нанотехнологий ………….. 144 7.4 Основные материалы углеродной нанотехнологий …………. 145 7.4.1 Углеродные нанотрубки ……………………….. 145 7.4.2 Фуллерены ………………………………….. 146 7.4.3 Графен …………………………………….. 147 7.5 Продукты углеродной нанотехнологий ………………….. 147 7.6 Органические нанотехнологий ………………………… 148 7.6.1 Жидкие кристаллы ……………………………. 148 7.6.2 OLED технология …………………………….. 158 7.6.3. Состояние разработок OLED ……………………. 163 7.7 Квантовая нанотехнология …………………………… 164 7.7.1 Общие сведения ……………………………… 164 7.7.2 Разработки в области квантовых компьютеров …….. 166 7.7.3 Разработки в области квантовой криптографии ……. 176 7.8 Молекулярная нанотенология …………………………. 178 7.8.1 Введение в молекулярную технологию ……………. 178 7.8.2 История концепции молекулярной нанотехнологии ….. 182 7.8.3 Оценки ожидаемых параметров молекулярных наномехаиических устройств ………………….. 183 7.8.4 Стратегии реализации молекулярной нанотехнологии ……………………………… 186 7.8.5 Молекулярный транзистор ……………………… 188 7.8.6 Одноэлектронный транзистор …………………… 189 ГЛАВА 8 НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ ДЛЯ ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫХ СИСТЕМ ……………………………………….. 191 8.1 Общие сведения ……………………………………. 191 8.2 Конденсаторы для наноэлектронных систем ……………… 192 8.3 Источники электроэнергии для наноэлектронных систем …… 197 8.3.1 Способы получения электроэнергии ……………… 201 8.3.2 История химических источников тока ……………. 202 8.3.3 Основные типы аккумуляторов для мобильных устройств ………………………………….. 208 8.3.4 Состояние и перспективы развития производства химических источников тока …………………… 210 8.3.5 Тенденции развития сегмента вторичных систем до 2010 года ………………………………….. 215 8.3.6 Производители перспективных типов химических источников …………………………………. 218 8.4 Наноэлектронные транзисторы ………………………… 219 8.4.1 Наноэлектронные транзисторы на основе структур хранения на сапфире …………………………. 222 8.4.2 Нанотранзисторы с гетеропереходами ……………. 228 8.5 Наноэлектронные переключатели и ячейки памяти ………… 233 8.5.1 Квантово-точечные клеточные автоматы ………….. 233 8.5.2 Молекулярные переключатели …………………… 235 8.5.3 Перспективы использования нанотехнологии при изготовлении устройств хранения информации …….. 237 8.6 Наноэлектронные лазеры …………………………….. 239 8.6.1 Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами ……………………………….. 239 8.6.2 Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами ……………………………….. 242 8.6.3 Оптические модуляторы ……………………….. 249 8.7 Дисплеи и осветительные приборы с использованием наноматериалов ……………………………………. 251 8.7.1 Дисплеи и осветительные приборы на основе нанотрубок …………………………………. 251 8.7.2 Перспективы создания дисплеев невидимок ……….. 253 8.8 Фотоприемные наноэлектронные устройства и системы …….. 254 8.8.1 Фотоприемники на квантовых ямах ………………. 254 8.8.2 Фотоприемники на основе квантовых точек ……….. 257 8.9 Устройства и системы хранения информации …………….. 262 8.9.1 Виды запоминающих устройств ………………….. 262 8.9.2 Элементы памяти …………………………….. 264 8.9.3 Фотоприемные ПЗС ……………………………. 265 8.9.4 КМОП-фотодиодные СБИС и их применение …………. 267 8.10 Наноэлектронные изделия для компьютерных систем ………. 270 8.10.1 Однокристальные системы ……………………… 270 8.10.2 Системы для компьютеров ……………………… 272 8.11 Перспективы разработок квантовых информационных систем … 278 8.12 Наноэлектронные системы для беспроводной связи ……….. 284 8.13 Перспективы разработок наноэлектронных систем ………… 285 ГЛАВА 9 СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ ………………….. 292 9.1 Общие сведения ……………………………………. 292 9.2 Области применения МЭМС и НЭМС ……………………… 292 9.3 Состояние и перспективы разработок МЭМС и НЭМС ……….. 298 ГЛАВА 10 МЕДИЦИНСКИЕ И БИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРОИЗВОДСТВА НАНОПРОДУКЦИИ …………………………………. 305 10.1 Нанориски — новые угрозы для здоровья и окружающей среды ……………………………………………. 305 10.1.1. Новая категория рисков ……………………… 305 10.2 Европейские инициативы в области оценки нанорисков ……. 306 10.3 Руководства по безопасному обращению с наночастицами и наноматериалами …………………………………… 307 10.3.1 Стандарт корпорации DuPont для оценки нанорисков …………………………………. 310 10.3.2 Стандарты как ответ на угрозы, связанные с нанорисками ………………………………… 312 10.4 Рекомендации по исследованию токсичности наночастиц в лабораторных условиях ……………………………… 313 10.5 Материалы и оборудование, используемые при определении острой токсичности наночастиц ………………………. 315 10.6 Перспективы разработки медицинских нанороботов ……….. 318 10.7 Проблемы безопасности ……………………………… 321 ГЛАВА 11. НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ……………….. 322 11.1 «НаноФаб-100» — платформа для наноэлектроники ………… 322 11.2 Установка эпитаксильного наращивания слоев для индивидуальной обработки подложек большого диаметра …… 322 11.3 Новейшие разработки НИИ точного машиностроения. Комплект вакуумных установок для научных исследований и отработки технологических процессов наноэлектроники …. 323 11.4 Новое поколение установок молекулярно-лучевой эпитаксии ………………………………………… 324 11.5 Оборудование для наноструктурного анализа материалов и покрытий …………………………………………. 325 11.6 Нанотехнологический комплекс оборудования NanoEducator … 326 11.6.1 Устройство и принцип работы ………………….. 327 11.6.2 Конструкция СЗМ NanoEducator …………………. 329 11.6.3 Техническая спецификация прибора ……………… 332 11.6.4 Режимы работы ………………………………. 332 11.6.5 Дополнительные приложения NanoEducator ………… 333 ГЛАВА 12 ПОДГОТОВКА КАДТОВ ДЛЯ НАПРАВЛЕНИЯ «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» … 336 12.1 Материально-техническая база кадровой инфраструктуры наноиндустрии …………………………………….. 336 12.1.1 Научно-образовательные центры ………………… 337 12.1.2 Центры коллективного пользования ……………… 340 12.1.3 Кафедры и лаборатории ……………………….. 342 12.2 Целевые индикаторы выполнения задач программы развития (по итогам выполнения программы развития к 2010 г.) …… 345 12.3 Перечень вузов, ведущих подготовку по специальности «Нанотехнология в электронике» ……………………… 347 12.4 Потенциал СибГУТИ для работ в области нанотехнологий и наноэлектроники …………………………………… 348 Список цитированной литературы ………………………….. 351 Перечень принятых сокращений ……………………………. 361 ПРИЛОЖЕНИЕ ……………………………………………. 362

Молодая профессия электроника и наноэлектроника устремляется в будущее. Все перспективные направления науки и техники нуждаются в специалистах этого профиля. Они занимаются разработкой электронных приборов и гаджетов, создают инструкции по их использованию, модернизируют различные производства, используя инновационные технологии.

Выручка специалистов в России

Молодой специалист со степенью бакалавра с самого начала своей карьеры зарабатывает не больше 20000 руб. ($284) в месяц. Через несколько лет его оклад поднимается до 40 – 60 тыс. ($604 – 906).

В зависимости от места работы, столичные инженеры электроники получают ежемесячный доход:

  • машиностроительный завод – 45000 руб. ($680);
  • деловой центр – 35000 ($529);
  • музей «Царь макет страны» — 50000 ($755);
  • СИТИ паркинг – до 60000;
  • Автосалон «Renault» — 70000 ($1057).

Средняя зарплата составляет:

  • в Москве — от 50000 ($755) до 120000 руб. ($1812);
  • по стране – от 22000 ($332) до 90000 ($1359).

В таблице показаны доходы электроников и наноэлектроников на разных предприятиях страны:

Город Оклады инженеров
RUR USD
Завод «Магнетон» Питер 40000 604
З-д металлоконструкций Челябинск 40000
КГ «ЭМИС» — / — 60000 906
З-д транспортной электроники Омск 35000 529
НТК «Криогенная техника» — / — 30000 453
Мясокомбинат Пермь 25000 378
АО «Высокие технологии» Брянск 21000 317
СПК-Чимолаи Краснодар 56000 846
ОКБ «Микрон» Красноярск 35000 529
ТПК «Контакт» Новокузнецк 50000 755
ОКБ «НАВИСЕТ» Омск 20000 302
ПК «Форвард» Новосибирск 25000 378
Подшипниковый завод Самара 23000 347

Карьера инженера электроника складывается из повышения категории – с 3 до 1 и получения новой должности – начальник отдела, главный инженер производства и даже директор завода.

Профессионал может работать:

  • конструктором наноматериалов;
  • микроэлектронщиком;
  • наноматериаловедом;
  • схемотехником;
  • нанофизиком;
  • электронщиком и микроэлектронщиком и др.

Сфера деятельности распространяется на производственные, медицинские, научные предприятия и учреждения, а также – узлы связи и телекоммуникаций.

Обучение в ВУЗе по специальности «электроника и наноэлектроника» стоит от 24000 ($362) до 260000 руб. ($3927) в год.

Доходы специалистов среднего звена

За 4 года обучения в университете, получают степень бакалавра. Специалист становится техником электроником.

Он помогает проводить исследования и разработку электронных приборов, делает ремонт и монтаж различного оборудования.

В зависимости от опыта работы и навыков, он зарабатывает:

  • минимум – 25900 руб. ($391);
  • средний уровень – 38000 ($574);
  • максимум – 157300 ($2376).

Выручка зависит от места проживания:

  • Москва – 53000 ($800);
  • Санкт-Петербург – 44000 ($665);
  • Владивосток – 40000 ($604);
  • Нижний Новгород – 37000 ($559);
  • Уфа – 34000 ($513);
  • Волгоград – 30000 ($453).

Прибыли коллег в странах СНГ

Украина

Инженеры радиотехники в стране – дефицитные и востребованные специалисты, их жалованье достигает 80000 грн ($2863) в месяц.

Профессионалы зарабатывают:

  • инженер схемотехник – 40000 ($1432);
  • — / — проекта – 17167 ($614);
  • — / — радиотехник – 15000 ($537);
  • — / — передвижной телестанции на канале «Интер» — 6000 ($215);
  • — / — по аппаратному обеспечению – 20000 ($716);
  • — / — проектировщик слаботочных систем – 23750 ($850).

Начальный заработок специалистов – 2600 грн ($93). Профессионалы с опытом работы от 2-х лет, получают 5000 ($179). Стаж до 5 лет дает право на оклад в размере 8700 ($311).

В разных городах радиотехники зарабатывают:

  • Львов – 14750 грн ($528);
  • Киев – 7000 ($251);
  • Харьков – 6500 ($233);
  • Одесса – 5200 ($186);
  • Запорожье – 4000 ($143).

Казахстан

Специалисты, связанные с радиоэлектроникой и телекоммуникациями, зарабатывают:

  • мастер-радиотехник – 80 – 200 тыс. тенге ($216 – 539);
  • — / — по ремонту телевизоров – 150 – 180 тыс. ($404 – 485);
  • — / — автомобильный – 200000;
  • инженер электроник на производстве – 100000 ($269);
  • специалист по ремонту и настройке оборудования – 200000.

Беларусь

Техник электроник в Беларуси получает от 350 до 700 бел. руб. ($165 – 330). Другие специалисты зарабатывают:

  • Инженер схемотехник – до 2000 ($943);
  • — / — электроник – от 300 до 1000 ($160 – 472);
  • — / — радиотехник – от 400 до 850 ($189 – 401).

Техник электроник производит ремонт мобильных устройств, медицинской и банковской аппаратуры, электронные системы на автомобилях.

Вакансии в Москве

  1. АОНПО Лавочкина, для участия в разработке и испытании космических аппаратов, требуется инженер электроник. Оклад – 55 – 70 тыс. руб. ($831 – 1057).
  2. Мосэнерго, метро Речной вокзал, для осуществления технического обслуживания и надежной эксплуатации АСУ ТП, требуется специалист в области электроники. Зарплата – до 100000 ($1510).
  3. В НИИ точных приборов требуется конструктор по радиоэлектронике, владеющий компьютерными программами Mentografik и Автокад. Оплата труда – от 40000 до 60000 ($604 – 906).

Инженер-электронщик

Сфера деятельности

Производство электронных устройств

Вид деятельности

Творить, создавать нечто новое, проектировать

Анализировать и упорядочивать текстовую информацию, делать расчеты

Контролировать, проверять, оценивать

Работать по технологии, в соответствии с требованиями и правилами

Краткое описание

Компьютер, мобильный телефон, бытовая техника и прочие электронные устройства – все эти вещи делают нашу жизнь комфортнее. Они позволяют меньше времени тратить на рутинные обязанности, вроде мытья посуды или приготовления пищи, быстрее и эффективнее работать с большими объемами информации, общаться и даже путешествовать по миру, не выходя из дома. Разработкой и эксплуатацией электронных приборов занимается инженер-электронщик.
Инженер-электронщик проектирует электронные схемы, собирает и тестирует электронные компоненты, отвечающие за работу электронных приборов и устройств. Инженер-электронщик занят в самых разных областях производства электронной техники. Например, специалист может проектировать электронные схемы для таких областей, как телекоммуникация (например, компоненты мобильных телефонов), аэрокосмическая навигация (например, системы управления искусственными спутниками, системы навигации самолетов), системы управления ходом кораблей (например, радары) и так далее.
Инженер-электронщик также обеспечивает бесперебойную высокопроизводительную работу электронного оборудования, его правильную техническую эксплуатацию, занимается ремонтом. Специалист готовит приборы к работе, контролирует надежность электронных компонентов техники, проводит испытания, чтобы своевременно обнаружить неисправности и устранить их. Кроме того, инженер-электронщик планирует и разрабатывает модификации электронных приборов, чтобы повысить их функциональность.

Где учиться

Направления обучения:

    • Информатика и вычислительная техника (09.00.00)
    • Информационная безопасность (10.00.00)
    • Электроника, радиотехника и системы связи (11.00.00)
    • Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии (12.00.00)

Вузы:
09.05.01 – Применение и эксплуатация автоматизированных систем
специального назначения

    • Всероссийская академия ракетных войск им. Петра Великого (ВАРВСН)
    • Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ (НИЯУ МИФИ) Факультет кибернетики и информационной безопасности

10.05.07 – Противодействие техническим разведкам

    • Академия ФСБ России (АФСБ) Оперативно-технический факультет

11.03.01 – Радиотехника

    • Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) (МАИ) Факультет «Радиоэлектроника летательных аппаратов», «Радиовтуз МАИ»
    • Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники (МИРЭА) Институт радиотехнических и телекоммуникационных систем
    • Национальный исследовательский университет МИЭТ (МИЭТ) Факультет микроприборов и технической кибернетики
    • Московский технический университет связи и информатики (МТУСИ) Факультет «Радио и телевидение»
    • Московский энергетический институт (технический университет) (МЭИ) Радиотехнический факультет

11.03.03 – Конструирование и технология электронных средств

    • Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) (МАИ) Российский государственный технологический университет им. К.Э.Циолковского (МАТИ) Институт аэрокосмических конструкций, технологий и систем управления
    • Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ) Факультет «Информатика и системы управления»
    • Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники (МИРЭА) Институт радиотехнических и телекоммуникационных систем
    • Национальный исследовательский университет МИЭТ (МИЭТ) Факультет интеллектуальных технических систем

11.03.04 – Электроника и наноэлектроника

    • Российский государственный геологоразведочный университет им. Серго Орджоникидзе (МГРИ РГГРУ) Геофизический факультет
    • Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ) Факультет «Машиностроительные технологии»
    • Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники (МИРЭА) Институт электроники
    • Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» (МИСиС) Институт новых материалов и нанотехнологий
    • Национальный исследовательский университет МИЭТ (МИЭТ) Факультет электроники и компьютерных технологий
    • Московский энергетический институт (технический университет) (МЭИ) Институт радиотехники и электроники

11.05.01 – Радиоэлектронные системы и комплексы

    • Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники (МИРЭА) Институт радиотехнических и телекоммуникационных систем
    • Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) (МАИ) Факультет «Радиоэлектроника летательных аппаратов», «Радиовтуз МАИ»
    • Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ) Факультет «Радиоэлектроника и лазерная техника»
    • Московский энергетический институт (технический университет) (МЭИ) Радиотехнический факультет

12.05.01 – Электронные и оптико-электронные приборы и системы
специального назначения

    • Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ) Факультет «Радиоэлектроника и лазерная техника»
    • Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники (МИРЭА) Институт электроники
    • Московский государственный университет геодезии и картографии (МИИГАиК) Факультет оптико-информационных систем и технологий

Где работать

    • Предприятия, занимающиеся производством электронной аппаратуры и техники
    • Сервисные центры
    • Мастерские по ремонту электронной техники

Компании мечты:*

    • 3Q
    • Explay
    • Gresso
    • Группа «Ангстрем»
      *Информация основана на рейтингах сайтов по поиску работы
Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *